Intermediately Bound Excitons in Wurtzite Type Semiconductors Doped with Transition Metal Impurities: Fid-Bau Portal

Intermediately Bound Excitons in Wurtzite Type Semiconductors Doped with Transition Metal Impurities

Dahan, P. / Fleurov, V. / Kikoin, K. A.

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Titel:

Intermediately Bound Excitons in Wurtzite Type Semiconductors Doped with Transition Metal Impurities

Beteiligte:

Dahan, P. (Autor:in) / Fleurov, V. (Autor:in) / Kikoin, K. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 755-760

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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