Impurity Behavior During Si Single Crystal Growth from the Melt: Fid-Bau Portal

Impurity Behavior During Si Single Crystal Growth from the Melt

Izumi, T. / Morita, H. / Fujiwara, T. / Fujiwara, H. / Inami, S.

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Titel:

Impurity Behavior During Si Single Crystal Growth from the Melt

Beteiligte:

Izumi, T. (Autor:in) / Morita, H. (Autor:in) / Fujiwara, T. (Autor:in) / Fujiwara, H. (Autor:in) / Inami, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 109-114

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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