Excitons Bound to Isoelectronic C~3~v-Defects B^4~8~0 (1.1068 eV) in Silicon: Fid-Bau Portal

Excitons Bound to Isoelectronic C~3~v-Defects B^4~8~0 (1.1068 eV) in Silicon

Kaminskii, A. S. / Lavrov, E. V.

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Titel:

Excitons Bound to Isoelectronic C~3~v-Defects B^4~8~0 (1.1068 eV) in Silicon

Beteiligte:

Kaminskii, A. S. (Autor:in) / Lavrov, E. V. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 145-150

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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