Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers: Fid-Bau Portal

Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers

Simon, J. J. / Perichaud, I.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers

Simon, J. J. / Perichaud, I.

Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers

Simon, J. J. / Perichaud, I.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers

Beteiligte:

Simon, J. J. (Autor:in) / Perichaud, I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 36 ; 183-186

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Stemmer, M. / Veve, C. / Gay, N. et al. | British Library Online Contents | 1995

Influence of Oxygen on External Phosphorus Gettering in Disordered Silicon Wafers

Martinuzzi, S. / Perichaud, I. | British Library Online Contents | 1993

Strength of silicon wafers: fracture mechanics approach

Rupnowski, P. / Sopori, B. | British Library Online Contents | 2009

The fracture strength of nitrogen doped silicon wafers

Vedde, J. / Gravesen, P. | British Library Online Contents | 1996

Fracture strength of silicon wafers sawn by fixed diamond wire saw

Liu, Tengyun / Ge, Peiqi / Bi, Wenbo et al. | British Library Online Contents | 2017

Nach oben