Effect of oxygen on the growth of epitaxial ErSi~2~-~x films on Si by the reactive deposition technique: Fid-Bau Portal

Effect of oxygen on the growth of epitaxial ErSi~2~-~x films on Si by the reactive deposition technique

Grimaldi, M. G. / Ravesi, S. / Spinella, C. / Xinshui, Y.

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Titel:

Effect of oxygen on the growth of epitaxial ErSi~2~-~x films on Si by the reactive deposition technique

Beteiligte:

Grimaldi, M. G. (Autor:in) / Ravesi, S. (Autor:in) / Spinella, C. (Autor:in) / Xinshui, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 138-141

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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