Investigation of the space charge regime of epitaxially grown GaAs (100) by high-resolution electron energy-loss spectroscopy: Fid-Bau Portal

Investigation of the space charge regime of epitaxially grown GaAs (100) by high-resolution electron energy-loss spectroscopy

Polyakov, V. M. / Elbe, A. / Wu, J. / Lapeyre, G. J. / Schaefer, J. A.

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Titel:

Investigation of the space charge regime of epitaxially grown GaAs (100) by high-resolution electron energy-loss spectroscopy

Beteiligte:

Polyakov, V. M. (Autor:in) / Elbe, A. (Autor:in) / Wu, J. (Autor:in) / Lapeyre, G. J. (Autor:in) / Schaefer, J. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 24-34

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

11 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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