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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Conventional EBIC versus MOS/EBIC study of electrically active defects in Si and SOI

    Beteiligte:

    Bondarenko, I. (Autor:in) / Kirk, H. (Autor:in) / Kononchuk, O. (Autor:in) / Rozgonyi, G. (Autor:in) / Balkanski, M. / Kamimura, H. / Mahajan, S.

    Erschienen in:

    Solid-State Materials for Advanced Technology ; 32-37

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 42

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1996

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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