High-resolution transmission electron microscopy investigation of a stacking fault in �-Si~3N~4: Fid-Bau Portal

High-resolution transmission electron microscopy investigation of a stacking fault in -Si~3N~4

Ning, X. G. / Wilkinson, D. S. / Weatherly, G. C. / Ye, H. O.

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Titel:

High-resolution transmission electron microscopy investigation of a stacking fault in -Si~3N~4

Beteiligte:

Ning, X. G. (Autor:in) / Wilkinson, D. S. (Autor:in) / Weatherly, G. C. (Autor:in) / Ye, H. O. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 32 ; 1435-1436

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

2 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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