Effects of active hydrogen on atomic layer epitaxy of GaAs: Fid-Bau Portal

Effects of active hydrogen on atomic layer epitaxy of GaAs

Meguro, T. / Isshiki, H. / Lee, J.-S. / Iwai, S. / Aoyagi, Y.

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Titel:

Effects of active hydrogen on atomic layer epitaxy of GaAs

Beteiligte:

Meguro, T. (Autor:in) / Isshiki, H. (Autor:in) / Lee, J.-S. (Autor:in) / Iwai, S. (Autor:in) / Aoyagi, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 112 ; 118-121

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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