Positron annihilation induced Auger electron spectroscopy (PAES) study of the structure of Si/H/Ge(100)interfaces: Fid-Bau Portal

Positron annihilation induced Auger electron spectroscopy (PAES) study of the structure of Si/H/Ge(100)interfaces

Kim, J. H. / Wheeler, S. / Nangia, A. / Jung, E. / Weiss, A. H.

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Titel:

Positron annihilation induced Auger electron spectroscopy (PAES) study of the structure of Si/H/Ge(100)interfaces

Beteiligte:

Kim, J. H. (Autor:in) / Wheeler, S. (Autor:in) / Nangia, A. (Autor:in) / Jung, E. (Autor:in) / Weiss, A. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 116 ; 324-329

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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