Deep levels in Si-doped Al~xGa~1~-~xAs layers: Fid-Bau Portal

Deep levels in Si-doped Al~xGa~1~-~xAs layers

Chung, C. K. / Kang, T. W. / Hong, C. Y. / Chang, K. S. / Kim, T. W.

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Titel:

Deep levels in Si-doped Al~xGa~1~-~xAs layers

Beteiligte:

Chung, C. K. (Autor:in) / Kang, T. W. (Autor:in) / Hong, C. Y. (Autor:in) / Chang, K. S. (Autor:in) / Kim, T. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 115 ; 174-179

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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