6H-3C SiC structures grown by sublimation epitaxy: Fid-Bau Portal

6H-3C SiC structures grown by sublimation epitaxy

Lebedev, A. A. / Savkina, N. S. / Strel'chuk, A. M. / Tregubova, A. S. / Scheglov, M. P.

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Titel:

6H-3C SiC structures grown by sublimation epitaxy

Beteiligte:

Lebedev, A. A. (Autor:in) / Savkina, N. S. (Autor:in) / Strel'chuk, A. M. (Autor:in) / Tregubova, A. S. (Autor:in) / Scheglov, M. P. (Autor:in) / Camassel, J. / Fricke, K. / Krozer, V. / Robert, J. L.

Erschienen in:

High Temperature Electronics: Materials, Devices and Applications ; 168-170

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 46

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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