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Low-doped 6H-SiC n-type epilayers grown by sublimation epitaxy

Savkina, N. S. / Lebedev, A. A. / Davydov, D. V. / Strel'chuk, A. M. / Tregubova, A. S. / Raynaud, C. / Chante, J. P. / Locatelli, M. L. / Planson, D. / Milan, J.

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Savkina, N. S. / Lebedev, A. A. / Davydov, D. V. / Strel'chuk, A. M. / Tregubova, A. S. / Raynaud, C. / Chante, J. P. / Locatelli, M. L. / Planson, D. / Milan, J.

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Titel:

Low-doped 6H-SiC n-type epilayers grown by sublimation epitaxy

Beteiligte:

Savkina, N. S. (Autor:in) / Lebedev, A. A. (Autor:in) / Davydov, D. V. (Autor:in) / Strel'chuk, A. M. (Autor:in) / Tregubova, A. S. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Chante, J. P. (Autor:in) / Locatelli, M. L. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Milan, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 77 ; 50 - 54

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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