Elimination of sub-oxide transition regions at Si-SiO~2 interfaces by rapid thermal annealing at 900�C: Fid-Bau Portal

Elimination of sub-oxide transition regions at Si-SiO~2 interfaces by rapid thermal annealing at 900C

Lucovsky, G. / Banerjee, A. / Niimi, H. / Koh, K. / Hinds, B. / Meyer, C. / Luepke, G. / Kurz, H.

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Titel:

Elimination of sub-oxide transition regions at Si-SiO~2 interfaces by rapid thermal annealing at 900C

Beteiligte:

Lucovsky, G. (Autor:in) / Banerjee, A. (Autor:in) / Niimi, H. (Autor:in) / Koh, K. (Autor:in) / Hinds, B. (Autor:in) / Meyer, C. (Autor:in) / Luepke, G. (Autor:in) / Kurz, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 117/118 ; 202-206

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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