Dielectric breakdown caused by hole-induced-defect in thin SiO~2 films: Fid-Bau Portal

Dielectric breakdown caused by hole-induced-defect in thin SiO~2 films

Teramoto, A. / Kobayashi, K. / Matsui, Y. / Hirayama, M.

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Titel:

Dielectric breakdown caused by hole-induced-defect in thin SiO~2 films

Beteiligte:

Teramoto, A. (Autor:in) / Kobayashi, K. (Autor:in) / Matsui, Y. (Autor:in) / Hirayama, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 117/118 ; 245-248

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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