The near-infrared photoluminescence of GaAs epilayers grown on Si: Fid-Bau Portal

The near-infrared photoluminescence of GaAs epilayers grown on Si

Liang, J. / Li, P. / Gao, Y. / Zhao, J.

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Titel:

The near-infrared photoluminescence of GaAs epilayers grown on Si

Beteiligte:

Liang, J. (Autor:in) / Li, P. (Autor:in) / Gao, Y. (Autor:in) / Zhao, J. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 32 ; 4377-4382

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0022-2461

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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