Excitons localization effects in GaAsN/GaAs epilayers grown by MOCVD: Fid-Bau Portal

Excitons localization effects in GaAsN/GaAs epilayers grown by MOCVD

Saidi, F. / Hassen, F. / Maaref, H. / Auvray, L. / Dumont, H. / Monteil, Y.

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Titel:

Excitons localization effects in GaAsN/GaAs epilayers grown by MOCVD

Beteiligte:

Saidi, F. (Autor:in) / Hassen, F. (Autor:in) / Maaref, H. (Autor:in) / Auvray, L. (Autor:in) / Dumont, H. (Autor:in) / Monteil, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 21 ; 245-249

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0928-4931

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1 / 660

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