Deep levels in Ti-doped GaAs epilayers grown on undoped GaAs (100) substrates: Fid-Bau Portal

Deep levels in Ti-doped GaAs epilayers grown on undoped GaAs (100) substrates

Wui, Y.H. / Kang, T.W. / Kim, T.W.

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Titel:

Deep levels in Ti-doped GaAs epilayers grown on undoped GaAs (100) substrates

Beteiligte:

Wui, Y.H. (Autor:in) / Kang, T.W. (Autor:in) / Kim, T.W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 148 ; 211-214

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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