Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with Al~xGa~1~-~xN buffer layers: Fid-Bau Portal

Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with Al~xGa~1~-~xN buffer layers

Lin, C. F. / Cheng, H. C. / Feng, M. S. / Chi, G. C.

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Titel:

Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with Al~xGa~1~-~xN buffer layers

Beteiligte:

Lin, C. F. (Autor:in) / Cheng, H. C. (Autor:in) / Feng, M. S. (Autor:in) / Chi, G. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 25-28

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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