Nanosecond Risetime Pulse Characterization of SiC p^+n Junction Diode Breakdown and Switching Properties: Fid-Bau Portal

Nanosecond Risetime Pulse Characterization of SiC p^+n Junction Diode Breakdown and Switching Properties

Neudeck, P. G. / Fazi, C.

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Titel:

Nanosecond Risetime Pulse Characterization of SiC p^+n Junction Diode Breakdown and Switching Properties

Beteiligte:

Neudeck, P. G. (Autor:in) / Fazi, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1037-1040

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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