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    Titel:

    4H-SiC Diode Avalanche Breakdown Voltage Estimation by Simulation and Junction Termination Extension Analysis

    Beteiligte:

    Rong, H. (Autor:in) / Sharma, Y.K. (Autor:in) / Li, F. (Autor:in) / Jennings, M.R. (Autor:in) / Mawby, P.A. (Autor:in) / Okumura, H. / Harima, H. / Kimoto, T. / Yoshimoto, M. / Watanabe, H.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 ; 824-827

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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