Epitaxial Growth of GaN on Silicon Substrates by Low-Pressure MOCVD using AlAs, AlAs/GaAs, and AlN Buffer Layers: Fid-Bau Portal

Epitaxial Growth of GaN on Silicon Substrates by Low-Pressure MOCVD using AlAs, AlAs/GaAs, and AlN Buffer Layers

Strittmatter, A. / Krost, A. / Schatke, K. / Bimberg, D. / Blaesing, J. / Christen, J.

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Titel:

Epitaxial Growth of GaN on Silicon Substrates by Low-Pressure MOCVD using AlAs, AlAs/GaAs, and AlN Buffer Layers

Beteiligte:

Strittmatter, A. (Autor:in) / Krost, A. (Autor:in) / Schatke, K. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in) / Blaesing, J. (Autor:in) / Christen, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1145-1148

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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