LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates-comparison between AlAs and ZnO nucleation layers: Fid-Bau Portal

LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates-comparison between AlAs and ZnO nucleation layers

Strittmatter, A. / Krost, A. / Turck, V. / Straszburg, M. / Bimberg, D. / Blasing, J. / Hempel, T. / Christen, J. / Neubauer, B. / Gerthsen, D.

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Strittmatter, A. / Krost, A. / Turck, V. / Straszburg, M. / Bimberg, D. / Blasing, J. / Hempel, T. / Christen, J. / Neubauer, B. / Gerthsen, D.

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Strittmatter, A. / Krost, A. / Turck, V. / Straszburg, M. / Bimberg, D. / Blasing, J. / Hempel, T. / Christen, J. / Neubauer, B. / Gerthsen, D.

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Titel:

LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates-comparison between AlAs and ZnO nucleation layers

Beteiligte:

Strittmatter, A. (Autor:in) / Krost, A. (Autor:in) / Turck, V. (Autor:in) / Straszburg, M. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in) / Blasing, J. (Autor:in) / Hempel, T. (Autor:in) / Christen, J. (Autor:in) / Neubauer, B. (Autor:in) / Gerthsen, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 29 - 32

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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