Nitridation of GaAs(100) Wafers for the Preparation of Zincblende-Structure Thick GaN Layers: Fid-Bau Portal

Nitridation of GaAs(100) Wafers for the Preparation of Zincblende-Structure Thick GaN Layers

Yamamoto, A. / Shin-ya, T. / Yamauchi, Y. / Hashimoto, A.

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Titel:

Nitridation of GaAs(100) Wafers for the Preparation of Zincblende-Structure Thick GaN Layers

Beteiligte:

Yamamoto, A. (Autor:in) / Shin-ya, T. (Autor:in) / Yamauchi, Y. (Autor:in) / Hashimoto, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1213-1216

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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