Optical Properties of Cubic Phase GaN Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on SiC/Silicon (100) Substrates: Fid-Bau Portal

Optical Properties of Cubic Phase GaN Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on SiC/Silicon (100) Substrates

Godlewski, M. / Ivanov, V. Y. / Bergman, J. P. / Monemar, B. / Barski, A. / Langer, R.

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Titel:

Optical Properties of Cubic Phase GaN Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy on SiC/Silicon (100) Substrates

Beteiligte:

Godlewski, M. (Autor:in) / Ivanov, V. Y. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Monemar, B. (Autor:in) / Barski, A. (Autor:in) / Langer, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1343-1346

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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