A Two-Band Analysis of Electrical Transport in n-Type GaN Epilayers: Fid-Bau Portal

A Two-Band Analysis of Electrical Transport in n-Type GaN Epilayers

Cheong, M. G. / Oh, K. S. / Suh, E.-K. / Lee, H. J.

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Titel:

A Two-Band Analysis of Electrical Transport in n-Type GaN Epilayers

Beteiligte:

Cheong, M. G. (Autor:in) / Oh, K. S. (Autor:in) / Suh, E.-K. (Autor:in) / Lee, H. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1385-1388

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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