Positron annihilation and scanning tunneling microscopy used to characterise defects in highly Si-doped GaAs: Fid-Bau Portal

Positron annihilation and scanning tunneling microscopy used to characterise defects in highly Si-doped GaAs

Gebauer, J. / Krause-Rehberg, R. / Domke, C. / Ebert, P. / Urban, K.

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Titel:

Positron annihilation and scanning tunneling microscopy used to characterise defects in highly Si-doped GaAs

Beteiligte:

Gebauer, J. (Autor:in) / Krause-Rehberg, R. (Autor:in) / Domke, C. (Autor:in) / Ebert, P. (Autor:in) / Urban, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 885-892

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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