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    Titel:

    High Growth Rate of -SIC by Sublimation Epitaxy

    Beteiligte:

    Syvaejaervi, M. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / MacMillan, M. F. (Autor:in) / Tuominen, M. (Autor:in) / Kakanakova-Georgieva, A. (Autor:in) / Hemmingsson, C. G. (Autor:in) / Ivanov, I. G. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 143-146

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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