Defect Characterization of Homo-Epitaxially Grown 6H-SiC on (0001) Silicon and (0001) Carbon Faces: Fid-Bau Portal

Defect Characterization of Homo-Epitaxially Grown 6H-SiC on (0001) Silicon and (0001) Carbon Faces

Stoemenos, J. / Di Cioccio, L. / Papaioannou, V. / David, D. / Pudda, C.

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Titel:

Defect Characterization of Homo-Epitaxially Grown 6H-SiC on (0001) Silicon and (0001) Carbon Faces

Beteiligte:

Stoemenos, J. (Autor:in) / Di Cioccio, L. (Autor:in) / Papaioannou, V. (Autor:in) / David, D. (Autor:in) / Pudda, C. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 409-412

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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