Gaseous Etching for Characterization of Structural Defects in Silicon Carbide Single Crystals: Fid-Bau Portal

Gaseous Etching for Characterization of Structural Defects in Silicon Carbide Single Crystals

Powell, J. A. / Larkin, D. J. / Trunek, A. J.

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Titel:

Gaseous Etching for Characterization of Structural Defects in Silicon Carbide Single Crystals

Beteiligte:

Powell, J. A. (Autor:in) / Larkin, D. J. (Autor:in) / Trunek, A. J. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 421-424

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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