Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Oxygen-Related Defect Centers in 4H Silicon Carbide

    Neue Suche nach: Dalibor, T.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Yamamoto, T.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Matsunami, H.
    Neue Suche nach: Sridhara, S. G.
    Neue Suche nach: Nizhner, D. G.
    Neue Suche nach: Devaty, R. P.
    Neue Suche nach: Choyke, W. J.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Oxygen-Related Defect Centers in 4H Silicon Carbide

    Neue Suche nach: Dalibor, T.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Yamamoto, T.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Matsunami, H.
    Neue Suche nach: Sridhara, S. G.
    Neue Suche nach: Nizhner, D. G.
    Neue Suche nach: Devaty, R. P.
    Neue Suche nach: Choyke, W. J.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Oxygen-Related Defect Centers in 4H Silicon Carbide

    Neue Suche nach: Dalibor, T.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Yamamoto, T.
    Neue Suche nach: Kimoto, T.
    Neue Suche nach: Matsunami, H.
    Neue Suche nach: Sridhara, S. G.
    Neue Suche nach: Nizhner, D. G.
    Neue Suche nach: Devaty, R. P.
    Neue Suche nach: Choyke, W. J.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Oxygen-Related Defect Centers in 4H Silicon Carbide

    Beteiligte:

    Dalibor, T. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Yamamoto, T. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in) / Sridhara, S. G. (Autor:in) / Nizhner, D. G. (Autor:in) / Devaty, R. P. (Autor:in) / Choyke, W. J. (Autor:in) / Pensl, G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 553-556

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Oxygen Related Defect Centers: The Source of Room Temperature Red Photoluminescence in As-Made and Oxidized Porous Silicon

    Prokes, S. M. / Carlos, W. E. | British Library Online Contents | 1995

    Iron-Related Defect Centers in 3C-SiC

    Tsirimpis, T. / Beljakova, S. / Zippelius, B. et al. | British Library Online Contents | 2011

    Beryllium-Related Defect Centers in 4H-SiC

    Krieger, M. / Laube, M. / Weidner, M. et al. | British Library Online Contents | 2001

    Defect annealing in ion implanted silicon carbide

    Calcagno, L. / Grimaldi, M. G. / Musumeci, P. | British Library Online Contents | 1997

    Electrical and Optical Characterization of Magnesium- and Calcium-Related Defect Centers in Silicon

    Haessler, C. / Pensl, G. | British Library Online Contents | 1994

    Nach oben