High-Frequency EPR Studies of Shallow and Deep Boron Acceptors in 6H-SiC: Fid-Bau Portal

High-Frequency EPR Studies of Shallow and Deep Boron Acceptors in 6H-SiC

Schmidt, J. / Matsumoto, T. / Poluektov, O. G. / Van Duijn-Arnold, A. / Ikoma, T. / Baranov, P. G. / Mokhov, E. N.

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Titel:

High-Frequency EPR Studies of Shallow and Deep Boron Acceptors in 6H-SiC

Beteiligte:

Schmidt, J. (Autor:in) / Matsumoto, T. (Autor:in) / Poluektov, O. G. (Autor:in) / Van Duijn-Arnold, A. (Autor:in) / Ikoma, T. (Autor:in) / Baranov, P. G. (Autor:in) / Mokhov, E. N. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 587-590

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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