Structural Defects and Photoluminescence in Dislocation-Rich Erbium-Doped Silicon: Fid-Bau Portal

Structural Defects and Photoluminescence in Dislocation-Rich Erbium-Doped Silicon

Vdovin, V. I. / Sobolev, N. A. / Emel'yanov, E. M. / Gusev, O. B. / Shek, E. I. / Yugova, T. G.

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Titel:

Structural Defects and Photoluminescence in Dislocation-Rich Erbium-Doped Silicon

Beteiligte:

Vdovin, V. I. (Autor:in) / Sobolev, N. A. (Autor:in) / Emel'yanov, E. M. (Autor:in) / Gusev, O. B. (Autor:in) / Shek, E. I. (Autor:in) / Yugova, T. G. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

Erschienen in:

Defects in Semiconductors ICDS-19 ; 1521-1526

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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