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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Study of hole traps in p-type ZnSe and ZnSSe epilayers by DLTS and admittance spectroscopy

    Beteiligte:

    Hauksson, I. S. (Autor:in) / Seghier, D. (Autor:in) / Gislason, H. P. (Autor:in) / Prior, K. A. (Autor:in) / Cavenett, B. C. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

    Erschienen in:

    Defects in Semiconductors ICDS-19 ; 1671-1676

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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