Midgap Levels in As-Grown 4H-SiC Epilayers Investigated by DLTS: Fid-Bau Portal

Midgap Levels in As-Grown 4H-SiC Epilayers Investigated by DLTS

Danno, K. / Kimoto, T. / Matsunami, H.

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Titel:

Midgap Levels in As-Grown 4H-SiC Epilayers Investigated by DLTS

Beteiligte:

Danno, K. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 355-358

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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