Rate Limiting Mechanism of Transition Metal Gettering in Multicrystalline Silicon: Fid-Bau Portal

Rate Limiting Mechanism of Transition Metal Gettering in Multicrystalline Silicon

McHugo, S. A. / Thompson, A. C. / Imaizumi, M. / Hieslmair, H. / Weber, E. R.

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Titel:

Rate Limiting Mechanism of Transition Metal Gettering in Multicrystalline Silicon

Beteiligte:

McHugo, S. A. (Autor:in) / Thompson, A. C. (Autor:in) / Imaizumi, M. (Autor:in) / Hieslmair, H. (Autor:in) / Weber, E. R. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

Erschienen in:

Defects in Semiconductors: ICDS 19 ; 1795-1800

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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