High resolution EELS study of extended defects in silicon: Fid-Bau Portal

High resolution EELS study of extended defects in silicon

Kohno, H. / Arai, N. / Mabuchi, T. / Hirata, M. / Takeda, S. / Kohyama, M. / Terauchi, M. / Tanaka, M.

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Titel:

High resolution EELS study of extended defects in silicon

Beteiligte:

Kohno, H. (Autor:in) / Arai, N. (Autor:in) / Mabuchi, T. (Autor:in) / Hirata, M. (Autor:in) / Takeda, S. (Autor:in) / Kohyama, M. (Autor:in) / Terauchi, M. (Autor:in) / Tanaka, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 547-552

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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