Residual Stress in Si~3N~4 Passivated GaAs Wafers: Fid-Bau Portal

Residual Stress in Si~3N~4 Passivated GaAs Wafers

Ward, A. / Hendricks, R. W.

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Titel:

Residual Stress in Si~3N~4 Passivated GaAs Wafers

Beteiligte:

Ward, A. (Autor:in) / Hendricks, R. W. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCES IN X RAY ANALYSIS ; 237-242

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0376-0308

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 539.7222

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