Nanometer-scale InAs islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Nanometer-scale InAs islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy

Nonogaki, Y. / Iguchi, T. / Fuchi, S. / Fujiwara, Y. / Takeda, Y.

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Titel:

Nanometer-scale InAs islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Nonogaki, Y. (Autor:in) / Iguchi, T. (Autor:in) / Fuchi, S. (Autor:in) / Fujiwara, Y. (Autor:in) / Takeda, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 130-132 ; 724-728

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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