TiN growth on Si(100) by pulsed laser deposition using homogenized KrF excimer laser beam: Fid-Bau Portal

TiN growth on Si(100) by pulsed laser deposition using homogenized KrF excimer laser beam

Obata, K. / Sugioka, K. / Takai, H. / Midorikawa, K.

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Titel:

TiN growth on Si(100) by pulsed laser deposition using homogenized KrF excimer laser beam

Beteiligte:

Obata, K. (Autor:in) / Sugioka, K. (Autor:in) / Takai, H. (Autor:in) / Midorikawa, K. (Autor:in) / Boyd, I. W. / Perriere, J. / Stuke, M.

Erschienen in:

Proceedings of Symposium G on Surface Processing: Laser, Lamp, Plasma of the 1998 E-MRS Spring Conference - Strasbourg, France, June 16-1998 ; 335-339

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 138/139

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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