Numerical simulation of global heat transfer in reactors for SiC bulk crystal growth by physical vapor transport: Fid-Bau Portal

Numerical simulation of global heat transfer in reactors for SiC bulk crystal growth by physical vapor transport

Selder, M. / Kadinski, L. / Durst, F. / Straubinger, T. / Hofmann, D.

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Titel:

Numerical simulation of global heat transfer in reactors for SiC bulk crystal growth by physical vapor transport

Beteiligte:

Selder, M. (Autor:in) / Kadinski, L. (Autor:in) / Durst, F. (Autor:in) / Straubinger, T. (Autor:in) / Hofmann, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 61-62 ; 93 - 97

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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