Carbon-vacancy related defects in 4H- and 6H-SiC: Fid-Bau Portal

Carbon-vacancy related defects in 4H- and 6H-SiC

Son, N.T. / Chen, W.M. / Lindstrom, J.L. / Monemar, B. / Janzen, E.

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Titel:

Carbon-vacancy related defects in 4H- and 6H-SiC

Beteiligte:

Son, N.T. (Autor:in) / Chen, W.M. (Autor:in) / Lindstrom, J.L. (Autor:in) / Monemar, B. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 61-62 ; 202 - 206

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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