InGaP/GaAs based heterojunction bipolar transistor characterisation using non-contact optical spectroscopy: Fid-Bau Portal

InGaP/GaAs based heterojunction bipolar transistor characterisation using non-contact optical spectroscopy

Murtagh, M. / Beechinor, J.T. / Cordero, N. / Kelly, P.V. / Crean, G.M. / Bland, S.W.

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Titel:

InGaP/GaAs based heterojunction bipolar transistor characterisation using non-contact optical spectroscopy

Beteiligte:

Murtagh, M. (Autor:in) / Beechinor, J.T. (Autor:in) / Cordero, N. (Autor:in) / Kelly, P.V. (Autor:in) / Crean, G.M. (Autor:in) / Bland, S.W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 66 ; 185 - 188

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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