Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQW structures

    Neue Suche nach: Gombia, E.
    Neue Suche nach: Ghezzi, C.
    Neue Suche nach: Parisini, A.
    Neue Suche nach: Tarricone, L.
    Neue Suche nach: Longo, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQW structures

    Neue Suche nach: Gombia, E.
    Neue Suche nach: Ghezzi, C.
    Neue Suche nach: Parisini, A.
    Neue Suche nach: Tarricone, L.
    Neue Suche nach: Longo, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQW structures

    Neue Suche nach: Gombia, E.
    Neue Suche nach: Ghezzi, C.
    Neue Suche nach: Parisini, A.
    Neue Suche nach: Tarricone, L.
    Neue Suche nach: Longo, M.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQW structures

    Beteiligte:

    Gombia, E. (Autor:in) / Ghezzi, C. (Autor:in) / Parisini, A. (Autor:in) / Tarricone, L. (Autor:in) / Longo, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 147 ; 171-174

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Photoluminescence characterization of InGaP/GaAs/InGaP quantum wires

    Kicin, S. / Novak, J. / Hasenohrl, S. et al. | British Library Online Contents | 2001

    Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor structures by the admittance spectroscopy method

    Kochowski, S. / Nitsch, K. / Paszkiewicz, B. et al. | British Library Online Contents | 2004

    InGaP/GaAs based heterojunction bipolar transistor characterisation using non-contact optical spectroscopy

    Murtagh, M. / Beechinor, J.T. / Cordero, N. et al. | British Library Online Contents | 1999

    Reliability investigation of implanted microwave InGaP/GaAs HBTs

    Rezazadeh, A. A. / Khalid, A. H. / Sotoodeh, M. | British Library Online Contents | 2001

    InGaP/GaAs HBT implantation leakage current and electrical breakdown

    Shen, H. / Arrale, A. M. / Dai, P. et al. | British Library Online Contents | 2004

    Nach oben