Annealing study of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and carbon-doped p+GaAs base layers: Fid-Bau Portal

Annealing study of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and carbon-doped p+GaAs base layers

Moriarty, G. R. / Murtagh, M. / Cherkaoui, K. / Gouez, G. / Kelly, P. V. / Crean, G. M. / Bland, S. W.

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Titel:

Annealing study of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and carbon-doped p+GaAs base layers

Beteiligte:

Moriarty, G. R. (Autor:in) / Murtagh, M. (Autor:in) / Cherkaoui, K. (Autor:in) / Gouez, G. (Autor:in) / Kelly, P. V. (Autor:in) / Crean, G. M. (Autor:in) / Bland, S. W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 80 ; 284 - 288

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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