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    Titel:

    Atomistic simulation of ion implantation and its application in Si technology

    Beteiligte:

    Posselt, M. (Autor:in) / Schmidt, B. (Autor:in) / Feudel, T. (Autor:in) / Strecker, N. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 71 ; 128 - 136

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    9 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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