Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology: Fid-Bau Portal

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Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology

Popov, V. P. / Antonova, I. V. / Stas, V. F. / Mironova, L. V. / Gutakovskii, A. K. / Spesivtsev, E. V. / Mardegzhov, A. S. / Franznusov, A. A. / Feofanov, G. N.

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Titel:

Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology

Beteiligte:

Popov, V. P. (Autor:in) / Antonova, I. V. (Autor:in) / Stas, V. F. (Autor:in) / Mironova, L. V. (Autor:in) / Gutakovskii, A. K. (Autor:in) / Spesivtsev, E. V. (Autor:in) / Mardegzhov, A. S. (Autor:in) / Franznusov, A. A. (Autor:in) / Feofanov, G. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 73 ; 82 - 86

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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