Atomistic modeling of chemical vapor deposition: silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia: Fid-Bau Portal

Atomistic modeling of chemical vapor deposition: silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia

Bagatur`yants, A. A. / Novoselov, K. P. / Safonov, A. A. / Savchenko, L. L. / Cole, J. V. / Korkin, A. A.

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Titel:

Atomistic modeling of chemical vapor deposition: silicon nitride CVD from dichlorosilane and ammonia

Beteiligte:

Bagatur`yants, A. A. (Autor:in) / Novoselov, K. P. (Autor:in) / Safonov, A. A. (Autor:in) / Savchenko, L. L. (Autor:in) / Cole, J. V. (Autor:in) / Korkin, A. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 23-29

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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