Lower temperature and shorter curing time of methylsilsesquioxane for intermetal dielectric application: Fid-Bau Portal

Lower temperature and shorter curing time of methylsilsesquioxane for intermetal dielectric application

Chua, C. T. / Sarkar, G. / Chool, S. Y. M. / Chan, L.

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Titel:

Lower temperature and shorter curing time of methylsilsesquioxane for intermetal dielectric application

Beteiligte:

Chua, C. T. (Autor:in) / Sarkar, G. (Autor:in) / Chool, S. Y. M. (Autor:in) / Chan, L. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 18 ; 33-34

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

2 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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