Raman scattering characterization of Si-doped Ga0.52In0.48P grown by solid source molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Raman scattering characterization of Si-doped Ga0.52In0.48P grown by solid source molecular beam epitaxy

Yoon, S. F. / Lui, P. Y. / Zheng, H. Q.

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Titel:

Raman scattering characterization of Si-doped Ga0.52In0.48P grown by solid source molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Yoon, S. F. (Autor:in) / Lui, P. Y. (Autor:in) / Zheng, H. Q. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 76 ; 101 - 106

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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